规格书 |
MJD2x3,NJVMJD2x3T4G |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 4A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 600mV @ 100mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 40 @ 200mA, 1V |
功率 - 最大 | 1.4W |
频率转换 | 40MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
集电极最大直流电流 | 4 |
最小直流电流增益 | 40@200mA@1V|15@1A@1V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | DPAK |
最低工作温度 | -65 |
最大功率耗散 | 1400 |
最大基地发射极电压 | 7 |
Maximum Transition Frequency | 40(Min) |
封装 | Tape and Reel |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 100 |
供应商封装形式 | DPAK |
筛选等级 | Automotive |
最大集电极发射极电压 | 100 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 4A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 40MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 600mV @ 100mA, 1A |
标准包装 | 2,500 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
供应商设备封装 | DPAK-3 |
功率 - 最大 | 1.4W |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 40 @ 200mA, 1V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
增益带宽产品fT | 40 MHz |
晶体管极性 | NPN |
安装风格 | SMD/SMT |
系列 | MJD243 |
直流集电极/增益hfe最小值 | 40 at 200 mA at 1 VDC |
直流电流增益hFE最大值 | 180 at 200 mA at 1 VDC |
集电极 - 发射极饱和电压 | 300 mV |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 VDC |
发射极 - 基极电压VEBO | 7 VDC |
集电极 - 基极电压VCBO | 100 V |
最低工作温度 | - 65 C |
Pd - Power Dissipation | 12.5 W |
集电极最大直流电流 | 8 A |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
品牌 | ON Semiconductor |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 4 A |
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